Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля
Эскиз недоступен
Дата
2016
Название журнала
Номер ISSN
Название тома
Издатель
РИО БарГУ
Анотация
Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера
диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые
превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от
температуры и времени воздействия.
Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the
basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the
changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under
nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated.
Описание
Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – 85 с.
Ключевые слова
электроника, диод Шоттки, автомобильная электроника, Schottky diode
Библиографическое описание
Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – С. 48–54.