Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля

Сокращенная информация об элементе
dc.contributor.authorМаркевич, М. И.
dc.contributor.authorЧапланов, А. М.
dc.contributor.authorМалышко, А. Н.
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.
dc.contributor.authorСарычев, О. Э.
dc.contributor.authorЩербакова, Е. Н.
dc.contributor.authorMarkevich, M. I.
dc.contributor.authorChaplanov, A. M.
dc.contributor.authorMalyshko, A. N.
dc.contributor.authorSolodukha, V. A.
dc.contributor.authorSolovyev, Ya. A.
dc.contributor.authorSarichev, O. E.
dc.contributor.authorShcherbakova, E. N.
dc.coverage.spatialБарановичиru
dc.date.accessioned2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.available2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionВестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – 85 с.ru
dc.description.abstractДиоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия. Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated.ru
dc.identifier.citationФормирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – С. 48–54.ru
dc.identifier.otherББК 32.851.12
dc.identifier.urihttps://rep.barsu.by/handle/data/2080
dc.language.isoruru
dc.publisherРИО БарГУru
dc.subjectэлектроникаru
dc.subjectдиод Шотткиru
dc.subjectавтомобильная электроникаru
dc.subjectSchottky diode
dc.titleФормирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеляru
dc.title.alternativeFormation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide
dc.typeArticleru
Файлы
Контейнер файлов
Сейчас показывают 1 - 1 из 1
Эскиз
Название:
Formirovanie i issledovanie diodov Shottki na osnove silicidov platiny i nikelja.pdf
Розмер:
1.7 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Описание:
основной текст
Загрузить
Комплект лицензий
Сейчас показывают 1 - 1 из 1
Эскиз
Название:
license.txt
Розмер:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Описание:
Загрузить
Коллекции
2016 год Выпуск 4.