2016 год Выпуск 4.

Постоянная ссылка для этой коллекции

https://rep.barsu.by/handle/data/2074

Просмотреть

Показать 2016 год Выпуск 4. по автору "Malyshko, A. N."

Сейчас показывают 1 - 1 из 1
  • Эскиз недоступен
    Элемент
    Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля
    (РИО БарГУ, 2016) Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Малышко, А. Н.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Сарычев, О. Э.; Щербакова, Е. Н.; Markevich, M. I.; Chaplanov, A. M.; Malyshko, A. N.; Solodukha, V. A.; Solovyev, Ya. A.; Sarichev, O. E.; Shcherbakova, E. N.
    Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия. Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated.