Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля

Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Малышко, А. Н.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Сарычев, О. Э.; Щербакова, Е. Н.; Markevich, M. I.; Chaplanov, A. M.; Malyshko, A. N.; Solodukha, V. A.; Solovyev, Ya. A.; Sarichev, O. E.; Shcherbakova, E. N.

dc.contributor.author	Маркевич, М. И.
dc.contributor.author	Чапланов, А. М.
dc.contributor.author	Малышко, А. Н.
dc.contributor.author	Солодуха, В. А.
dc.contributor.author	Соловьев, Я. А.
dc.contributor.author	Сарычев, О. Э.
dc.contributor.author	Щербакова, Е. Н.
dc.contributor.author	Markevich, M. I.
dc.contributor.author	Chaplanov, A. M.
dc.contributor.author	Malyshko, A. N.
dc.contributor.author	Solodukha, V. A.
dc.contributor.author	Solovyev, Ya. A.
dc.contributor.author	Sarichev, O. E.
dc.contributor.author	Shcherbakova, E. N.
dc.coverage.spatial	Барановичи	ru
dc.date.accessioned	2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.available	2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.issued	2016
dc.identifier.citation	Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – С. 48–54.	ru
dc.identifier.other	ББК 32.851.12
dc.identifier.uri	http://rep.barsu.by/handle/data/2080
dc.description	Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – 85 с.	ru
dc.description.abstract	Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия. Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	РИО БарГУ	ru
dc.subject	электроника	ru
dc.subject	диод Шоттки	ru
dc.subject	автомобильная электроника	ru
dc.subject	Schottky diode
dc.title	Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля	ru
dc.title.alternative	Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide
dc.type	Article	ru