DSpace Repository

Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля

Show simple item record

dc.contributor.author Маркевич, М. И.
dc.contributor.author Чапланов, А. М.
dc.contributor.author Малышко, А. Н.
dc.contributor.author Солодуха, В. А.
dc.contributor.author Соловьев, Я. А.
dc.contributor.author Сарычев, О. Э.
dc.contributor.author Щербакова, Е. Н.
dc.contributor.author Markevich, M. I.
dc.contributor.author Chaplanov, A. M.
dc.contributor.author Malyshko, A. N.
dc.contributor.author Solodukha, V. A.
dc.contributor.author Solovyev, Ya. A.
dc.contributor.author Sarichev, O. E.
dc.contributor.author Shcherbakova, E. N.
dc.coverage.spatial Барановичи ru
dc.date.accessioned 2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.available 2017-07-05T09:46:53Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – С. 48–54. ru
dc.identifier.other ББК 32.851.12
dc.identifier.uri http://rep.barsu.by/handle/data/2080
dc.description Вестник БарГУ. Сер. Технические науки. – 2016. – Вып. 4. – 85 с. ru
dc.description.abstract Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия. Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated. ru
dc.language.iso ru ru
dc.publisher РИО БарГУ ru
dc.subject электроника ru
dc.subject диод Шоттки ru
dc.subject автомобильная электроника ru
dc.subject Schottky diode
dc.title Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля ru
dc.title.alternative Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide
dc.type Article ru


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account